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第一二零三章 500nm光刻机研制成功

第一二零三章 500nm光刻机研制成功 (第1/2页)

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  临近年尾,孙健有许多大事要处理,不会为终审法院的判决而长吁短叹,昨天接到魏建国的电话,8英寸晶圆和500nm制程工艺光刻机在BSEC研制成功!
  
  虽然在10月底就接到好消息,研发工程已经到了尾声,但真正接到确凿的消息,孙健还是很高兴的,当天就乘飞机来到京城,向全体研发人员表示祝贺,当场宣布公司拿出300万元,按照贡献大小,奖励全体研发人员。
  
  从6英寸晶圆、800nm制程工艺光刻机到8英寸晶圆、500nm制程工艺光刻机是一道大坎,BSEC投资了8亿元,耗费了18个月!
  
  一旦跨过,BSE、180nm制程工艺光刻机就相对容易一些。
  
  因为邓国辉院士领导的光刻机光源研究所经过三年多的努力,7月14日,研制成功全球第一台浸没式193nm光刻机试验机,波长达到134nm,突破了193nm波长极限的世界性难题,因所用的光学系统是委托CarlZeissAG生产的,没有完全自主的知识产权,秘而不宣,等BSEC光刻机光学研究所研制的光学系统达到要求后,再申请公司发明专利。
  
  从193nm干式光刻机到193nm浸没式光刻机,突破了193nm波长极限的世界性难题,是一种划时代的光刻技术。
  
  前世90年代末,随着摩尔定律的继续演进,光刻机制程工艺从130nm进入90nm,晶圆尺寸也从8英寸升级到12英寸,但大家都没想到,半导体产业在193nm波长上卡了将近20年!
  
  大家发现,干式193nm光刻机的极限制程工艺是65nm,再往下就很难实现了,如何突破65nm,跨入40nm制程工艺,成为阻挡在所有半导体厂商面前的拦路虎。
  
  G两大光刻机巨头如今正在研制130nm制程工艺的光刻机,上面还有90nm、65nm制程工艺的光刻机,还没有碰到65nm制程工艺的极限!
  
  BSEC所采用的光刻机光源是GmArF准分子激光器,为了掌握其核心技术,邓国辉和钱富强率领光刻机光源研究技术人员丢掉对方的图纸,重新研制了一遍,BSEC光刻机公司如今能生产满足1um制程工艺、800nm制程工艺和500nm制程工艺的193nmArF准分子激光器,按照双方当初签订的公司发明专利转让协定,这些准分子激光器只能在BSEC光刻机上使用。
  
  1995年7月,钱富强晋升研究员,担任光刻机光源研究所所长。
  
  邓国辉院长主持BSEC光刻机研究院的全盘工作。
  
  BSEC能生产8英寸晶圆、500nm制程工艺的光刻机,虽然离G制程工艺的光刻机,还差350nm、250nm和180nm三道关口,但这一步跨出去是多么的不易?
  
  不亲自参与其中,不知道研发过程中的艰难!
  
  BSE制程工艺的半导体生产线只是时间问题。
  
  从1996年6月开始,BSEC投资8亿元用于研发8英寸晶圆和500nm制程工艺光刻机,一晃就过去了18个月,由邓国辉、欧阳明、陈伟长和夏季常等四位院士主持的这项系统性的研发工程终成正果。
  
  光刻机自动化研究所早就准备好了满足500nm制程工艺光刻机所需要的磁悬浮式双工作台系统,这套系统是GCA1995年在BSEC提供的公司发明专利基础上研发成功的,专利属于BSEC。
  
  

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